机械网--如何选大功率LED器件合适的大功率LED

1 加大尺寸法：通过增大单颗LED的有效发光面积，和增大尺寸后促使得流经TCL层的电流均匀散布而特殊设计的电极结构（1般为梳状电极）之改变以求到达预期的光通量。但是，简单的增大发光面积没法解决根本的散热问题和出光问题违法强拆的诉讼时效是多长，其实不能到达预期的光通量和实际利用效果。2 硅底板倒装法：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片（Flip Chip LED）。同时制备出相应尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点）。然后，利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在1起。（这样的结构较为公道，即考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的High Output Power Chip LED生产方式。）美国LumiLeds公司2001年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片（FCLED）结构，具体做法为：第1步，在外延片顶部的P型GaN：Mg淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆接触和背反射；第2步，采取掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N型层；第3步，淀积、刻蚀构成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×1mm2，P型欧姆接触为正方形，N欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩大距离，把扩大电阻降至最小；第4步，将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护2极管（ESD）的硅载体上。3 陶瓷底板倒装法：先利用LED晶片厂通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在上制作出共晶焊接导电层及引出导电层。以后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在1起。（这样的结构考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采取的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热的效果非常理想，价格又相对较低所以为目前较为合适的底板材料，并可为将来的集成电路化1体封装伺服电路预留下了安装空间）4 蓝宝石衬底过渡法：依照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的4元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。5AlGaInN/碳化硅（SiC）背面出光法：美国Cree公司是采取SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的全球唯1厂家，几年来AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进公产房如何分配拆迁款，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别仅次于芯片的底部和顶部，单引线键合，兼容性较好，使用方便，因此成为AlGaInN LED发展的另外1主流。(end)资讯分类行业动态帮助文档展会专题报道5金人物商家文章